ROHM e Toshiba concordam em colaborar na fabricação de dispositivos de energia

O METI reconhece que o plano conjunto apoia o fornecimento estável e seguro

Um plano da ROHM Co., Ltd. (“ROHM”) e a Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba Electronic Devices & Storage”) para colaborar na fabricação e no aumento do volume de produção de dispositivos de energia foi reconhecido e será apoiado pelo Ministério da Economia, Comércio e Indústria como uma medida de apoioàmeta do governo japonês de fornecimento seguro e estável de semicondutores. A ROHM e a Toshiba Electronic Devices & Storage farão, respectivamente, investimentos intensivos em dispositivos de energia de carbeto de silício (SiC) e silício (Si), aumentarão efetivamente suas capacidades de fornecimento e utilizarão complementarmente a capacidade de produção de outras partes.

Este comunicado de imprensa inclui multimédia. Veja o comunicado completo aqui: https://www.businesswire.com/news/home/20231207894329/pt/

Os dispositivos de energia são componentes essenciais para fornecer e gerenciar a alimentação em todos os tipos de equipamentos eletrônicos e para alcançar uma sociedade livre de carbono e neutra em carbono. A demanda atual deve continuar crescendo. Nas aplicações automotivas, o desenvolvimento de trens de força elétricos mais eficientes, menores e mais leves avançou junto com a rápida expansão da eletrificação de veículos. Nas aplicações industriais, é amplamente necessário um fornecimento estável de dispositivos de energia e características aprimoradas para suportar o aumento da automação e requisitos de maior eficiência.

Diante desse cenário, a ROHM formulou uma visão de gerenciamento, “Nós nos concentramos em soluções analógicas e de energia e resolvemos problemas sociais, contribuindo para as necessidades de nossos clientes de economia de energia e miniaturização de seus produtos”, e acelera seus esforços para uma economia livre de carbono. Os dispositivos de energia SiC são a chave para a economia de energia. Desde a primeira produção em massa de MOSFETs de SiC do mundo, a ROHM vem desenvolvendo constantemente tecnologias líderes do setor. Entre elas estão os mais recentes MOSFETs de SiC de 4ª geração da ROHM, que serão adotados em vários veículos elétricos e equipamentos industriais. Como um de seus projetos prioritários, a ROHM está trabalhando no negócio de SiC, que contém investimentos agressivos e contínuos para aumentar a capacidade de produção de SiC e atender ao forte crescimento da demanda.

O Grupo Toshiba, com seu compromisso básico de longa data, “Comprometido com as pessoas, comprometido com o futuro”, tem como objetivo avançar na obtenção da neutralidade de carbono e de uma economia circular. Há décadas, a Toshiba Electronic Devices & Storage fornece dispositivos de energia Si, principalmente para os mercados automotivo e industrial, que ajudaram a garantir soluções de economia de energia e miniaturização de equipamentos. A empresa iniciou a produção em uma linha de wafer de 300 mm no ano passado e está acelerando o investimento para aumentar a capacidade de produção e atender ao forte crescimento da demanda. Ela também está avançando no desenvolvimento de uma linha mais ampla de dispositivos de energia SiC, especialmente para aplicações automotivas e de transmissão e distribuição de energia, aproveitando ao máximo a experiência que cultivou em aplicações para veículos ferroviários.

A ROHM já anunciou sua participação na privatização da Toshiba, mas esse investimento não serviu como ponto de partida para a colaboração na fabricação entre as duas empresas. Diante da intensificação da competição internacional na indústria de semicondutores, a ROHM e a Toshiba Electronic Devices & Storage têm considerado a colaboração no negócio de dispositivos de energia há algum tempo, e isso resultou na aplicação conjunta.

A ROHM e a Toshiba Electronic Devices & Storage colaborarão na fabricação de dispositivos de energia, por meio de investimentos intensivos em dispositivos de potência de SiC e Si, respectivamente, com o objetivo de aumentar a competitividade internacional de ambas as empresas. As empresas também buscarão contribuir para fortalecer a resiliência das cadeias de suprimento de semicondutores no Japão.

Esboço do plano de aprimoramento do fornecimento　

Nomes de empresas	ROHM Co., Ltd. and LAPIS Semiconductor Co., Ltd. Toshiba Electronic Devices e Storage Corporation e Kaga Toshiba Electronics Corporation
Valor total do investimento	JPY388,3 bilhões: ROHM e LAPIS: JPY289,2 bilhões, Toshiba Electronic Devices e Storage e Kaga Toshiba: JPY99,1 bilhões
Subsídio máximo	JPY129,4 bilhões: 1/3 do valor total do investimento
Locais de produção	LAPIS Semiconductor Miyazaki Plant No.2: dispositivos de energia de SiC e wafers de SiC, Kaga Toshiba: dispositivos de energia de Si
Escopo	Aumento da capacidade de produção no Japão para dispositivos de energia de SiC e Si e wafers de SiC

Sobre a ROHM

Fundada em 1958, a ROHM fornece CIs e semicondutores discretos caracterizados pela excelente qualidade e confiabilidade para uma ampla variedade de mercados, incluindo o automotivo, o industrial e o de consumo, por meio de sua rede global de desenvolvimento e vendas.

Mais informações sobre a ROHM podem ser encontradas em www.rohm.com

Sobre a Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, um dos principais fornecedores de soluções avançadas de semicondutores e armazenamento, aproveita mais de meio século de experiência e inovação para oferecer aos clientes e parceiros de negócios semicondutores discretos excepcionais, LSIs de sistema e produtos de HDD.

Saiba mais em https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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